关键词:
超宽带
相控阵
数控衰减器
低附加相移
OPVG
混合衰减器
摘要:
相控阵技术作为无线通信中的关键技术,在军事与民用领域均有广泛应用,因此其研究与设计都成为近年来的热点。同时硅基CMOS工艺的制造能力与时俱进,其集成度高、产能充沛等优势逐渐显著,也为超宽带相控阵系统的实现提供了更优的技术路径。为了提高设计效率和降低设计成本,可以采用CMOS工艺实现相控阵中的通用模块,这对其带宽和精度提出了更高的要求,以此来适应更广泛的应用场景。衰减器作为相控阵中的幅度控制单元,对补偿多通道的增益误差有着至关重要的作用,针对超宽带衰减器的高精度、低插入损耗、低附加相移进行的研究设计,对支撑超宽带相控阵技术的发展极具重要价值。
本论文将低附加相移的无源衰减器和基于可变增益放大器的有源模块相结合设计:可变增益放大器采用两级结构,第一级可变增益级以差分的带有复制晶体管的数控电流舵结构为基础,在降低附加相移的同时,增加了交叉耦合中和电容结构来实现增益提升;第二级输出级采用带有峰值电感技术与电阻负反馈结构的共源结构,进一步提升增益的同时优化输出匹配。无源模块采用π型衰减结构,为适应超宽带的相位分析需要,针对π型结构的衰减态,本文提出了一种开关晶体管的二阶近似模型,将开关晶体管的寄生效应纳入设计,并完成了理论推导和仿真验证,实现了开关晶体管和衰减电阻的协同设计,在保证衰减量的前提下,一定范围内使得附加相移可控化。最终本文设计的六位超宽带数控衰减器采用两个无源模块实现8d B和16d B的衰减位,和一个7.5d B增益控制范围的有源模块实现0.5d B的衰减步进,输入端串联的两个无源模块与有源模块的附加相移变化趋势相反,从而实现了相位补偿。同时在大功率信号输入时,无源模块先实现衰减避免可变增益放大器饱和,从而提高了线性度,降低了输出1d B压缩点的变化范围,针对OPVG这一参数有较好的优化。在此基础上采用编码器产生各模块的控制信号,增加了1位冗余位来提高衰减步进的精度。
本文基于SMIC 40 nm CMOS工艺,设计了一个C-Ku波段下的超宽带CMOS六位数控衰减器。经多次迭代和优化后的仿真结果显示,该衰减器衰减范围为31.5d B,衰减步进0.5d B,在6-18GHz的频段上,衰减态曲线波动小于3d B,插入损耗小于3d B,附加相移小于±4.7°,RMS衰减误差小于0.21d B,RMS相位误差小于3°,输出回波损耗优于12d B,1d B压缩点输入功率参考态时为-3.66d Bm,最大衰减时为24.8d Bm,1d B压缩点输出功率参考态为-7.2d Bm,最大衰减时为-7.89d Bm,两态间的变化量小于0.7d Bm,全状态OPVG小于0.37。仿真结果表明,本衰减器的功能实现较理想,能够在无线性失真情况下将大范围功率信号衰减为小范围功率信号,在6-18GHz的超宽带内实现平坦度良好的大范围衰减的前提下,取得较高的衰减精度和较低的附加相移,证明有源无源相结合的衰减器结构的优势所在,对超宽带衰减器的研究与设计具有较重要的意义。