关键词:
SiC二极管
SiC GTO
门极驱动电路
采集保护电路
摘要:
当前以SiC材料为基础的第三代半导体正在飞速发展,SiC GTO良好的性能使其在节能减排,军事国防等领域拥有巨大发展潜力和应用前景。SiC GTO驱动电路对于器件性能发挥起至关重要的作用。本文根据SiC GTO开通关断要求,设计了以驱动电路,控制电路和保护电路为主的硬件电路以及FPGA控制器的编程,利用上位机发送信号和接收数据,经SiC JBS二极管功能测试验证后,进行SiC GTO动态开关测试。研究内容和结论如下:1.完成了门极驱动电路及辅助电路的设计、仿真和控制芯片的编程。分析了 SiC GTO工作原理,门极驱动电路要求,选取SiC GTO电路仿真模型。设计了门极驱动电路、控制电路、保护采集电路、电源和通信电路,并对各部分电路进行了仿真,验证电路功能。完成了 FPGA控制芯片的软件编程,实现上位机数据传送、门极驱动控制信号生成与发送、数据采集和动态存储等功能。2.完成了门极驱动电路PCB板的设计、制板、安装和调试,以及主电路高压电源和实验平台的搭建与测试验证。以SiC JBS二极管为测试对象,驱动电路可实现最小开通时间50ns,最小关断时间80ns,最大稳态电流740mA,满足SiCGTO门极触发电流-30mA和门极关断电流300mA的输出要求。高速AD电路采集到的二极管电压数据与示波器采集数据基本一致,达到设计要求。3.进行了 SiC GTO门极触发导通、关断测试,实现了动态过程的数据采样,验证了驱动电路的可行性。测试表明,阳阴极电压为246V,开关频率为50kHz时,SiCGTO的开通和关断时间分别约为6μs和8μs,通态压降为-3V左右。阳阴极电压为300V,开关频率为25kHz时,最大门极开通电流上升率为10A/μs,阳极电流为0.52A,阳极电流上升率为0.068A/μs,最大门极关断电流峰值为1.25A,门极关断电流上升率最大为19A/μs。