关键词： 碳化硅晶须   晶须增强   氧化铝   铝化合物   复合材料   制法   东京   日本  

摘要： 东京大学工学部的桥本健治教授的研究集团,最近确立了碳化硅（sic）晶须增强氧化铝（Al;O;）复合材料的新制法,开发了通过采用诱导加热形成温度梯度的新型化

关键词： 铝合金   复合材料   碳化硅   晶须  

摘要： 1 前言 近来,日本武高辉等通过实验和分析,对SiC_w、Al₂O_3p/6061 Al 合金复合材料的强化进行了研究。 首先通过压力铸造制成这种复合材料的坯料,然后用挤压加工的方法将坯料制成棒材,再用机械加工的方法将棒材制成试件。

关键词： 碳化硅   晶须   单晶纤维  

摘要： <正> *** 晶须发展概况晶须是一种单晶纤维,是高度的结晶体,其化学完整性提供了一种与原子间结合力相等的强度,达数了百万英磅/英寸~2,第一批工业生产的晶须是 ThcrmokineticFiber 公司(TKF)在1962年生产的。从1962～1968年,TKF 生产并销售了多种晶须产品,包括针状品须。

关键词： 碳化硅晶须   氧化锆   增韧  

摘要： 研究了加入ZrO_2和SiC晶须对热压烧结Si_3N_4的增强增韧作用。加入ZrO_2和SiC晶须能提高复合材料的断裂韧性K_(IC),但降低了抗弯强度。分别加入10vol％纯ZrO_2和含有钇的Y-ZrO_2,使Si_3N_4陶瓷的室温K_(IC)从原来的6.3MPa·m^(1/2)分别提高到7.3MPa·m^(1/2)和7.6MPa·m^(1/2)。加入10wt％SiC晶须,使Si_3N_4陶瓷的室温K_(IC)从6.3MPa·m^(1/2)提高到7.1MPa·m^(1/2)。

关键词： 碳化硅晶须   氧化铝陶瓷   晶须补强  

摘要： 本工作用四种分敏方法,对 SiC(w)/Al_2O_3复合材料体系(AS)进行分散,用 SEM 和 TEM 观察了不同分散条件下的晶须分散效果.通过测定不同分散条件下 AS 材料的力学性能和烧结密度,讨论了分散工艺对力学性能的影响.为了表征 SiC 晶须在不同分散介质条件下的分散特征,主要选用沉积密度作为表征参数来比较晶须的分散特性.实验结果表明,用酒精作为分散介质,金属醇盐作为分散剂,SiC 晶须的沉积密度达24%,在此条件下进行复合体系的分散混合,能达到 SiC 晶须在基体中均匀分布,材料力学性能随之有明显改进,抗弯强度达850MPa,K_(1c)为8.1MPa·m^1/*** 和 TEM 的分析显示:AS 材料的增韧机制主要是界面解离和裂纹偏转;在本工作条件下,SiC 晶须的团聚对材料的抗弯强度的影响尤为显著,但对断裂韧性的影响较小.

关键词： 复合材料   界面   碳化硅晶须   铝合金  

摘要： 本文对粉末冶金法制备的SiC晶须增强2124Al和2024Al两种复合材料进行了拉伸试验和断口观察,TEM和HREM证实在SiC_w/2024Al界面处存在链状不连续分布的θ(Al_2Cu)沉淀相,这种沉淀相降低了复合材料的室温强化效果,并对其塑性产生不利的影响。

关键词： 碳化硅晶须   化学汽相沉积   BN薄膜  

摘要： 采用化学气相沉积(CVD)法在 SiC 晶须表面沉积 BN 薄膜。实验使用 NH_3-BCl_3-H_2 混合气体,总压力为1.013×10~5Pa,得出最佳沉积条件为1250℃、1h,气相组份流量分别为 D_(NH_3)=0.06dm^3/min、D_(?Cl_3)=0.01dm^3/min、D_(?)=0.02dm^3/min。电子探针确定沉积层厚度约为10nm。结果表明,BN 沉积速度随温度及气相组份流量的提高而增大。在1000℃以下动力学控制占优势,表观活化能为150kJ/mol,1250°以上则扩散控制占优势,表观活化能为10kJ/mol。

关键词： 铝锂基   碳化硅   复合材料  

摘要： 综述了近年来碳化硅颗粒(SiCp)和碳化硅晶须(SiCw)增强铝基复合材料的发展,尤其是铝锂基复合材料的发展。SiC/Al复合材料的制造方法有铸造法、粉末冶金法、溅射沉积法等。碳化硅和铝的界面结合良好,由于碳化硅和铝的热膨胀系数相差六倍,因而在生产及热处理过程中收缩差所产生的错配应变会在基体中产生大量位错。人们认为,高密度的位错是SiC/Al强化的主要因素。