关键词： 晶须   复合材料   断裂   韧性   氧化铝陶瓷   陶瓷  

摘要： 本文就SiC_w—Al_2O_3复合材料制备的主要环节,介绍了国内外的最新研究动态。讨论了该研究领域存在的主要问题,提出了今后努力的方向。

关键词： 碳化硅晶须   陶瓷复合材料   晶须增韧  

关键词： 氧化铝复合材料   晶须增强   CVI   碳化硅晶须   学部  

摘要： 京都大学工学部的桥本健治教授等的研究集团,确立了制备碳化硅（SiC）晶须增强氧化铝（Al;O;）复合材料的新方法。通过采用诱导加热形成温度梯度的化学气相浸透法（CVI）而开发了复合化的技术,与过去的i—CVI法相比,制造时间大幅度缩减至其1/3,同时有可能制作复杂形状的致密复

关键词： 碳化硅晶须   陶瓷   刀具   切削性能  

关键词： 复合材料   碳化硅晶须   时效   铝合金  

摘要： 采用挤压铸造法制造晶须体积百分数为２７％的ＳｉＣ＿ｗ／６０６１Ａｌ复合材料，并采用硬度分析、ＤＳＣ示差热分析及透射电镜分析方法对复合材料的时效行为进行了研究。结果表明经时效处理盾复合材料的硬度有所提高，其硬度高于６０６１Ａｌ合金，复合材料的峰时效比６０６１Ａｌ合金有所提前。同时发现复合材料在１７０℃时效出现双硬度峰，研究认为这与复合材料中析出由Ｇ．Ｐ．区向β相的转化有关。

关键词： TOUGHENING BEHAVIOR   CERAMICS   MATRIX  

摘要： The effects of beta-SiC whisker addition on the microstructural evolution and fracture toughness (K-IC) of hot-pressed SiC were investigated. Most of the whiskers added disappeared during the densification process by transformation into the alpha-phase. the remaining whiskers acted as nuclei for grain growth, resulting in the formation of large tabular grains around the whiskers. The tabular grains around the whiskers were believed to be formed because of the extreme anisotropy of the interfacial energy between alpha- and beta-SiC. The K-IC of the material was improved significantly by the whisker addition. The increase in the K-IC was attributed to crack bridging followed by grain pullout as a result of the formation of tabular grains in a fine matrix.

关键词： 碳化硅晶须   氮化铝   陶瓷复合材料  

摘要： 本文探讨了用于补强陶瓷基复合材料的ＳｉＣ晶须和氮化铝的分散工艺，研究结果表明：ＳｉＣ晶须采用乙酰丙酮预处理有助于分散，表面活性剂的加入对ＳｉＣ晶须有良好的分散作用，分散剂的粘度、酸度均对分散作用有较大的影响。

关键词： 铝锂基复合材料   热挤压   碳化硅晶须   显微组织  

摘要： 采用热挤压的工艺方法成功地对压铸态ＳｉＣｗ／Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ复合材料进行二次加工，研究了挤压态复合材料的微观组织和性能。结果表明，ＳｉＣｗ／Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ复合材料具有很好的热成形性能，挤压可有效改善复合材料的综合机械性能。

关键词： 碳   复合材料   碳化硅   晶体生长   晶须  

摘要： 根据碳化硅晶须生长的特定驱动力要求，运用多孔体中气相传输模型预测了碳化硅晶须厚位生长的条件。预测结果与实验结果一致。

关键词： 复合材料   碳化硅晶须   铝   界面   残余应力   加工硬化   强度差与包申格效应   断裂  

摘要： 该文利用透射电镜、高分辨电镜、扫描电镜、电子拉伸机以及透射电镜原位拉伸技术研究了挤压铸造SiCw/Al(L1,LT66,LD2)复合材料变形前后晶须与基体及界面的结构、变形的不均匀性、影响强度的主要因素、加工硬化行为、拉压强度差效应与包申格效应、循环变形特征、以及裂纹的萌生与扩展机制.研究结果表明,β-SiC晶须内含大量孪晶及层错,其纵截面边缘呈锯齿状,此外,在晶须的表面还可发现α结构台阶及9R结构枝状物.这种表面状态,尤其是9R结构易于造成局部应力集中,在SiCw/Al复合材料的变形过程中,晶须表层出现变形不全位错.透射电镜下的动态拉伸原位观察表明:SiCw/Al复合材料中裂纹的萌生方式主要为:(1)晶须断裂;(2)近界面区基体开裂;(3)晶须富集区中基体撕裂,晶界与晶须阻碍裂纹的扩展.裂纹与晶须相遇时,裂纹以绕过或晶须拨出机制扩展.对于SiCwL1复合材料,晶须富集区内基体中的微裂纹易于扩展成主裂纹,主裂纹与其前方的微裂纹通过内颈缩联接的方式扩展;而SiCw/LD2复合材料,微裂纹不易扩展,通过微裂纹之间基体的剪切断裂导致材料断裂.