关键词： 金属基   复合材料   组织结构   碳化硅晶须  

摘要： 研究了在高压静电场作用下，经过预处理的SiC晶须在含有适量非离子表面活性剂的氟里昂（R－113）中单向排列的工艺，探讨了SiC晶须单向排列可能的机理。结果表明，在高压静电场的作用下，SiC晶须首先极化并且在电场力的作用下朝着静电场方向定向排列。

关键词： 碳化硅晶须   三氧化二铝   氮化钛   复合陶瓷   氧化锆  

摘要： 研究了在ＺｒＯ２含量为１５ｗｔ％时，ＳｉＣ晶须含量对Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＮ／ＺｒＯ２／ＳｉＣｗ复合材料的显微结构与力学性能的影响．当ＳｉＣｗ含量由１０ｗｔ％增加到３０ｗｔ％时，弯曲强度σｆ和断裂韧性ＫＩＣ最高可达１１３４ＭＰａ和１２．２６ＭＰａ·ｍ１２。用ＳＥＭ、ＴＥＭ观察分析了复合材料的表面抛光组织、断口形貌和微观结构。试验结果表明，复合材料强韧化机制主要为晶须拔出、相变增韧、裂纹偏转和晶须与基体界面解离。

关键词： 碳化硅晶须   碳化钛   复相陶瓷   强韧化   ZTA  

摘要： 四方氧化锆相变增韧、碳化硅晶须补强、碳化钛粒子弥散强化，同时引入一个新的陶瓷基复合材料系统中产生了叠加的强韧化效果．热压ＺＴＡ－ＳｉＣｗ－ＴｉＣ复相陶瓷材料与Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣｗ－ＴｉＣ相比具有更好的综合机械性能．碳化钛在基体中形成连续的骨架阻碍晶粒的长大，随着碳化钛含量的增加，基体的硬度明显增加．主要强韧化机理有相变增韧、晶须拔出、载荷转移、裂纹偏转等．

关键词： 残余应力   碳化硅晶须   铝基   复合材料  

摘要： 根据压铸法制备ＳｉＣｗ／Ａｌ复合材料的应力分析提出了零残余应力温度Ｔｃ的概念。通过弹塑性理论推导出了Ｔｃ的表达式，与试验结果相比较，得到了较为满意的效果。

关键词： 碳化硅晶须   复合材料   残余应力   金属基  

摘要： 采用Ｘ射线宏观应力测试方法，测量ＳｉＣｗ／ＬＤ２复合材料的热残余应力，应用盲孔及电阻应变片技术，研究热残余应力对宏观应变释放的影响。结果表明，热残余应力在材料表面呈三向拉应力状态，且不能引起宏观应变释放，是伪宏观残余应力。冷处理可降低复合材料的热残余应力。

关键词： 碳化硅晶须   晶体缺陷   晶体生长   VS生长机理  

摘要： 本文以稻壳为原料，对非金属催化剂合成的多节状ＳｉＣ晶须（简称ＳｉＣｗ）进行了研究，运用ＴＥＭ、ＸＲＤ等分析检测技术，对ＳｉＣｗ的形貌及显微结构进行了分析。研究表明：ＳｉＣｗ产品以直晶为主，表面粗糙，呈多节状；晶须以βＳｉＣ为主要晶型，少量αＳｉＣ以孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外，机理研究表明。

关键词： 反应机理   合成   晶须   碳化硅晶须   工艺  

摘要： 本文研究了βＳｉＣＷ合成工艺参数和反应历程，提出了合成工艺优化参数，确定了反应进行的步骤。通过对晶须形貌、晶型、杂质含量的分析。

关键词： 成型   碳化硅晶须   氮化硅   复合材料   复合陶瓷  

摘要： 通过挤制成型和热压烧结成功地制备了具有很好的一维定向排布的ＳｉＣ晶须补强Ｓｉ３Ｎ４复合材料，并从力学上分析了挤制成型过程中流体的受力状态、使晶须定向排布的原因以及影响晶须定向度的因素。所制备的含２０％晶须（按质量计，下同）的ＳｉＣｗ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料可达到９９％的相对密度，坯体和烧结体的显微结构表明挤制成型能够使晶须呈很好的一维定向排布。晶须定向排布有望充分发挥晶须的增韧和补强作用。

关键词： 铝锂基   复合材料   碳化硅晶须   时效   微观组织  

摘要： 对挤压铸造法制备的SiC_w/Al-Li-Cu-Mg-Zr复合材料经190℃时效不同时间的微观组织和性能进行了研究。结果表明,复合材料在该时效温度下的主要沉淀强化相为δ＇相,第二强化相为s＇相,复合材料中的高密度位错促进了δ＇相的长大和s＇相的沉淀析出过程。时效对复合材料具有明显的强化作用,而对复合材料拉伸断口的影响甚微。

关键词： 热力学   催化剂   碳化硅晶须  

摘要： 本文对稻壳合成ＳｉＣ晶须（简称ＳｉＣｗ）及ＳｉＣ颗粒（简称ＳｉＣｐ）进行了热力学分析，确定了基元反应，设计了ＳｉＣｗＶＬＳ生长的新型复合催化剂。研究表明：在稻壳合成ＳｉＣｗ的反应中，ＳｉＣｐ的生成是不可避免的；在新型复合催化剂作用下，ＳｉＣｗ的生成率可达３０％以上；ＳｉＣｗ的生长为粗糙界面生长机制，ＳｉＣｗ表面光滑。