关键词： 碳化硅   氧化铝   搬运   结构   晶体  

标准号: ASTM E1435-1998

摘要： 1.1 This practice describes recommended procedures for the safe handling of densified articles made from nonfibrous aluminum oxide reinforced with silicon carbide whiskers. 1.2 The information in this practice is intended for a material safety

关键词： 铝碳质耐火材料   碳化硅晶须   原位生长机理  

关键词： 搬运   晶体   结构   碳化硅  

标准号: ASTM E 1437-1998

摘要： 1.1 This practice describes recommended procedures for the safe handling of respirable silicon carbide whiskers and fibers. Respirable silicon carbide whiskers and fibers are considered to be those with diameters less than 3.0 [mu]m, or silicon carbide whiskers and fibers that contain a population with diameters less than 3.0 [mu]m. 1.2 Fragments of silicon carbide fibers that meet the size definition of silicon carbide whiskers are covered by this practice. 1.3 The information contained in this practice is intended for use in a material safety data sheet (MSDS) for silicon carbide whiskers. 1.4 Other materials may be present in the final product (for example, crystalline silica); information specific to these additional materials should be included in each manufacturer's MSDS. 1.5 This standard does not purport to address all of the safety problems, if any, associated with its use. It is the responsibility of the user of this standard to establish appropriate safety and health practices and determine the applicability of regulatory limitations prior to use. For specific hazard and precaution statements, see Sections 4, 6, 8, and 9.

关键词： 碳化硅   晶须   固相原料   晶须生长  

摘要： 实验研究了三种碳原料和七种硅原料反应生成ＳｉＣ晶须工艺过程，结果表明，反应生成碳化硅晶须的固相原料中，除稻壳外，白炭黑作为硅源，喷雾炭墨作为碳源，加入适当催化剂也可以得到高品位碳化硅晶须，纯度在９５％以上，生成率在２５％以上。

关键词： SiC晶须   复合材料   定向排布   增韧机理  

摘要： 该文深入系统地研究了以下三方面的问题:(1)晶须预处理对晶须表面特性和SiC(w)/Si<,3>N<,4>复合材料力学性能的影响;(2)晶须定向排布技术以及对SiC(w)/Si<,3>N<,4>复合材料的烧结行为、力学性能、电学性能等方面的影响;(3)晶须增韧机理与其方位角的关系研究.力求深入理解晶须在复合材料中的作用,进一步认识晶须增韧陶瓷基复合材料的组成、结构、工艺和性能之间的关系,从而提高晶须在复合材料中的增韧作用,进一步提高复合材料的力学性能.

关键词： 碳化硅   纳米晶须   碳纳米管   生长机制   晶须  

摘要： 本文报道了采用两步生长法生成碳化硅（SiC）纳米晶须.首先通过二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，然后生成的SiO与碳纳米管先驱体反应生成立方结构的β-SiC纳米晶须．其直径为3～40nm，长度为2～20μm．通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手段，对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究．其直径为3～40nm，长度为2～20μm．并具有峰值位于430nm的蓝光发射带，本文中还对碳化硅纳米晶须生长机制进行了讨论．

关键词： 晶须   碳化硅晶须   晶体  

摘要： 利用现代分析仪器对稻壳法生长的ＳｉＣ晶须（中试条件下生产产品）的结构特性进行分析测试，结果表明：晶须品位较高（＞９７％），晶须外形挺直，表面光洁，长度、直径分布均匀、集中，晶须中缺陷杂质含量和以前产品相比明显降低，各项指标均已达到或接近国外同类产品标准。

关键词： 充填式浮选柱   表观充气流率   含气量   评价   碳化硅   晶须   碳化硅晶须   分离  

摘要： 该论文研究了SiC晶须与颗粒及碳的物理及化学性质,认为上述三种产品的分离属于微细粒分选工艺.在综述了浮选柱的研究现状和发展趋势之后,分析了充填式浮选柱特点并与传统浮选柱进行了对比;系统分析了浮选柱气泡动力学,认为表观充气流率和含气量是决定浮选柱气泡动力学的关键;探讨了充填式浮选柱的最佳工艺参数和浮选柱的工作评价方法;该论文主要三项工作是:用充填式浮选柱分离SiC颗粒和晶须并与浮选槽做比较;用充填式浮选柱分离SiC颗粒和C并与浮选槽做比较;改进充填式浮选柱,填加循环系统,浮选分离SiC颗粒和C.得出充填式浮选柱在分离上述三种产品时有较好的效果.

关键词： 碳化硅   纳米晶须   微波合成   陶瓷   晶须增韧  

摘要： SiC nanometer whisker, whose diameter was about 50nm and purity was 98.54%, was synthesized by microwave heating in an atmosphere of argon. Char pyrolyzed phenolformaldehyde resin and SiO2 nanometer powder were used as starting materials. The properties of the whisker were determined by XRD and TEM. The mechanism for synthesizing SiC nanometer whisker was discussed.

关键词： 碳化硅晶须   铝基   复合材料   错配应力温度  

摘要： 分析SiCw／Al复合材料热错配应力变化规律，建立零错配应力温度的概念及近似计算公式.对压铸和挤压态的SiCw／LD2材料，依次进行固溶时效及－78℃－196℃处理.研究热错配应力随温度的变化规律，证实了零错配应力温度的存在.