关键词： Cf/SiC   MoSi2-SiC-Si涂层   防氧化   包渗法   碳化硅陶瓷基复合材料  

摘要： 采用包渗法制备了Cf/SiC陶瓷基复合材料MoSi2 —SiC—Si防氧化涂层 ,研究了渗层同埋粉关系、包渗时间对包渗结果的影响 ,并对涂层防氧化性能进行了分析。结果表明 :包渗法制得的涂层致密、无裂纹 ,涂层起到了良好的防氧化作用 ,140 0℃在空气中氧化 1h后试样的质量保留率为 94.1% ,保留强度为2 94.

关键词： BAS玻璃陶瓷   溶胶凝胶法   强韧化机理   钡长石  

摘要： 用溶胶凝胶法成功合成了理论钡长石凝胶玻璃，采用热压烧结工艺制备出均匀、致密的ＳｉＣｐｌ增强的ＢＡＳ玻璃陶瓷复合材料。并利用ＳＥＭ等设备以及显微压痕、三点弯曲等方法研究了ＳｉＣｐｌ／ＢＡＳ玻璃陶瓷基复合材料致密度的影响，探讨了ＳｉＣｐｌ对ＳｉＣｐｌ／ＢＡＳ的强韧化机理。

关键词： 直接氧化金属   铝合金   陶瓷基复合材料  

摘要： 研究了采用直接氧化法制备Ａ１２Ｏ３／Ａ１复合材料，实验分析了镁元素对铝氧化的决定 因素和硅对氧化速度的影响，通过Ｘ-线衍射对烧结材料进行物相分析，光镜观察烧结材料 的结构是三维联通的三氧化二铝陶瓷多晶体中分布了三维联通的网状的残余铝合金．

关键词： 陶瓷基复合材料   碳纤维编织物   先驱体转化   C5/SiC   碳化硅   纤维增强  

摘要： 主要研究了先驱体转化法制备碳纤维三维编织物增强陶瓷基复合材料的浸渍工艺条件 ,探讨了不同温度、压力对PCS/DVB溶液法和PCS熔融法浸渍效率的影响 ,优化出最佳浸渍工艺参数。结果表明 ,温度对PCS/DVB溶液粘度影响较大 ,升高温度可急剧降低PCS/DVB溶液的粘度 ,有利于浸渍。PCS/DVB溶液法浸渍的最佳工艺参数为 :50℃～ 6 0℃ ,2MPa。PCS熔融法浸渍的最佳工艺参数为 :30 0℃ ,2MPa。采用PCS/DVB溶液法浸渍时的浸渍效率优于PCS熔融法。经四个浸渍裂解周期后溶液法制备的材料密度 (1.53g/cm3～ 1.6 1g/cm3)明显优于先驱体熔融法 (1.4 3g/cm3～ 1.52g/cm3)。

关键词： 碳纳米管   多孔材料   电化学电容器   陶瓷基复合材料  

摘要： 该文系统研究制备碳纳米管宏观压制体的工艺方法,并对压制体的潜在应用、特别是在电化学电容器领域的应用进行了深入研究.以催化裂解法制备的碳纳米管为原料,采用高温热压工艺和碳纳米管与酚醛粘结剂混合压制工艺,分别制备出多孔的高温压制体和碳纳/酚醛压制体,压制体的成功制备为研究碳纳米管的宏观性质和探索其作为工程材料的应用奠定了基础.测定了碳纳米管高温压制体的电阻特性.

关键词： Al/AL2O3复合材料   制备工艺   性能  

摘要： 在综述Al/Al_2O_3复合材料制备工艺的基础上,提出了将石英玻璃浸入铝熔体中,通过Al向SiO_2玻璃中的反应浸渗,制备Al/Al_2O_3复合材料的新方法。获得了Al与Al_2O_3相互连通的Al/Al_2O_3复合材料。由于玻璃具有容易被加工成各种形状零件的特点,通过Al液向致密玻璃坯体的反应浸渗,可以获得近成形的Al/Al_2O_3复合材料。实验结果发现,由于Al/AlO_3中不存在孔隙,Al/AlO_3的弯曲强度和断裂韧性分别可达430MPa和13MPa·m^(1/2),其性能优于用Lanxide工艺制备的Al/Al_2O_3。

关键词： 复合材料   陶瓷基   氢氧化钠   纯铝   制备  

摘要： 运用 DIMOX工艺 ,利用纯 Al和 Na OH制备了 Al2 O3/ Al陶瓷基复合材料 ,进行了 SEM,TEM热重分析、定量金相等观察和测试 ,并分析了材料的生长机制。结果表明 ,纯 Al+Na OH制备的复合材料比由 Al-Mg-Si合金制备的 Al2 O3/Al复合材料组织更致密 ,力学性能更高 。

关键词： 金属间化合物   陶瓷基复合材料   刀具材料  

摘要： 新型陶瓷刀具材料—— Fe Al金属间化合物 /Al2 O3 陶瓷复合材料的制备。

关键词： 陶瓷基复合材料   玻璃陶瓷   力学性能   碳化硅纤维  

摘要： 采用泥浆浸渍热压工艺制备KD－1SiC长纤维增强玻璃陶瓷基复合材料．研究烧结温度和纤维体积分数对复合材料力学性能的影响．SiCf／BAS复合材料的抗弯强度和断裂韧性最大达到494．1MPa和18．28MPa·m1/2，SiCf／MAS复合材料的抗弯强度和断裂韧性最大达到538．7MPa和16．70MPa·m1/2．结合试样的断口形貌和抗弯载荷-位移曲线分析了复合材料的失效方式．

关键词： 陶瓷基复合材料   制备工艺   先驱体   连续纤维增强  

摘要： 连续纤维增强高温陶瓷基复合材料(HTCMCs)的制备主要有以液相或气相为先驱体的两条工艺路线。回顾分析了几种最有希望的工艺得出低温、低压、低成本、操作性强与近净尺寸设计,是今后HTCMCs制备工艺的发展趋势。